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泉州【半导体集成电路可靠性测试的内容及数据处理方法的介绍

2022年01月13日 01:29来源:泉州
1.半导体集成电路的可靠性测试
1.1半导体的可靠性
泉州【当前,使用被动筛选的方式是我国国内检验半导体可靠性的重要方法,然而这种方法需要投入大量人力物力,利用原始的人工筛选方式将可靠性不达标的半导体筛选出来,效率极低。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、同时这种方法耗时长、成本高,最重要的是,这种方法无法从根本上提高半导体的可靠性。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、因此,当前需要知道在什么条件下才能制作出可靠性能高的半导体,从而进一步避免半导体使用过程中发生失效。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、这就要求我们综合考虑制作周期、制作工艺、制作条件对半导体可靠性能的影响,通过科学的数据分析对半导体进行设计。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、
 
1.2半导体集成电路工艺的可靠性
如果想最大限度的提高半导体集成电路的可靠性,采用的主要方法就是加强对制造工艺的研究,这个研究是可靠性测试提升的关键。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在半导体集成电路可靠性测试的研究中,分析制造工艺能够在哪些方面影响半导体集成电路可靠性的使用,保证可靠性测试的工艺是有在进行重要的监测与控制,构造集成电路产品可靠性测试的评价规范程序和方法,这些工作都是能够保障半导体集成电路可靠性测试的研究,因此,要保证产品实物的可靠性,就必须要保证生产工艺的可靠性。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在研究评价制造工艺的可靠性中,半导体集成电路可靠性对产品的质量以及使用时间有着重要的影响,集成电路生产工艺的可靠性同样重要,两者共同点都是以高标准的制作工艺作为基础,以此来保证半导体集成电路成品的可靠性。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、
 
2.注入热载流的测试技术和处理数据方法
2.1注入热载流子的测试
在评估半导体式集成电路可靠性测试中,在晶圆级别注入热载流子的测试是一项重要内容,对热载流子的测试主要利用的是实际能量和变焦费米能级。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、半导体式集成电路的器件中,源电压遗漏之所以会出现载流子的漏电极限,主要因为在漏端周围有高电场强度出现,一旦载流子进入强电场范围中,高能的能量子就变成热载流子,且电子在碰撞中热载流子会发生新电子的空穴对,深化电离反应。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在热载流子的数量增加时,能量也增多。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在电离反应中,热载流子开展测试要经过长时间的电应力,测量不同电性参数的具体数值。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、
 
2.2处理数据的方法
泉州【半导体式集成电路的元器件中,对测试热载流子的过程、处理热载流子数据的手段有标准化的规定。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、通常情况下,变化量的电性参数会随着时间变化,并逐渐演变为幂函数关系,其表达式为Y(f) =Ctn.Y(t)可以表示随时间变化,电性参数出现相应变化,其计算公式为:Y(t) =P(t) -P(0)/P(0)
式中:P(0)为参数原始数据;P(t)为t时刻电性参数发生的演变量。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、此外,选择数字来表示记录电性参数的时间间隔,比如10s、20s。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在测试热载流子中,半导体式集成电路的器件通过处理数据,获取热载流子的测试数据,公式为lnY(f) =nInt+lnC,针对所得计算出参数n和c的具体数值。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、通常情况下,在做完热载流子的试验后,在对有关试验数据进行整理的过程中,要依据预定参数的数值深入计算电性参数发生的变化量,一直到与预定的数值、时间相符。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在热载流子试验中,不同的样品所需要的试验时间也有所不同,通过这些不同的时间能预先判断测试热载流子的使用周期和寿命。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、热载流子试验中,一般采取的寿命模型公式为:ttarId=WH (IWB/Id)式中:H为拟合的线性参数;IWB为衬底电流;Id为漏电流;W为栅宽度。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、
3.测试栅氧化层的技术和处理数据的方法
3.1斜坡电压的测试
斜坡电压的测试主要是在栅极上添加线性的斜坡电压,直到电压将氧化层击穿。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、与斜坡电压的测试不同,斜坡电流的测试主要是将一定指数的斜坡电流添加到栅极上面,一直到击穿养护层。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、斜坡电压测试和斜坡电流测试都是测量栅氧化层在缺陷时,其密度情况。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、通常斜坡电压测试要在电压的一定范围中开展。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、如果氧化层被电压击穿,则电压小于设定电压,证明氧化层出现了缺陷,同时能确定栅养护层处于无效状态。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、以 Poisso分布为前提的成品率公式能利用公式将相应缺陷密度计算出来,其中,Y为成品率,即有效样品在总测试样品中所占的比例;A为受测样品的面积;Do为缺陷密度。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在利用电压和斜坡电流大量测试过成本后,利用计算公式得到成品率,同时借测试样本的面积计算缺陷密度。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、如果缺陷密度不符合设置标准,就代表测试失败。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、
 
3.2介质击穿实验
介质击穿就是时间有关的介质击穿,其测试流程主要为:在栅极上加本征击穿的场强,保证该场强比栅氧化层小,则不会出现本征击穿。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、但因电应力施加中氧化层会出现缺陷,一段时间后会有击穿现象出现。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在对集成电路可靠性测试进行评定时,主要限制因素是同样时间下栅氧介质发生的击穿。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、通常电流过高会造成电荷发生累积反应,氧化硅的电场超出限制,导致击穿现象出现。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、
以上就是关于半导体集成电路可靠性测试及数据处理的方法介绍,希望对大家有所帮助。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、作为中国科学院控股的旗下第三方检测机构——中科检测,是一家集检验检测、技术服务、咨询、培训为一体的综合性第三方检测机构,不但可以开展半导体集成电路可靠性测试,同时还提供老化试验、毒理检测等服务,中科检测过的产品及体系认证、计量、验货、培训、标准及行业服务、能力验证、技术咨询等全产业链质量保证服务,帮助合作伙伴在竞争中保持优势。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、