泉州 - 半导体集成电路可靠心测试的内容及数据处理方法的介绍

泉州 - 半导体集成电路可靠心测试的内容及数据处理方法的介绍,

1.半导体集成电路的可靠心测试

1.1半导体的可靠心

泉州【当前，使用被动筛选的方式是我国国内检验半导体可靠心的重要方法，然而这种方法需要投入大量人力物力，利用原始的人工筛选方式将可靠心不达标的半导体筛选出来，效率极低。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、同时这种方法耗时长、成本高，最重要的是，这种方法无法从根本上提高半导体的可靠心。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、因此，当前需要知道在什么条件下才能制作出可靠心能高的半导体，从而进一步避免半导体使用过程中发生失效。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、这就要求我们综合考虑制作周期、制作工艺、制作条件对半导体可靠心能的影响，通过科学的数据分析对半导体进行设计。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、

 

1.2半导体集成电路工艺的可靠心

如果想最大限度的提高半导体集成电路的可靠心，采用的主要方法就是加强对制造工艺的研究，这个研究是可靠心测试提升的关键。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在半导体集成电路可靠心测试的研究中，分析制造工艺能够在哪些方面影响半导体集成电路可靠心的使用，保证可靠心测试的工艺是有在进行重要的监测与控制，构造集成电路产品可靠心测试的评价规范程序和方法，这些工作都是能够保障半导体集成电路可靠心测试的研究，因此，要保证产品实物的可靠心，就必须要保证生产工艺的可靠心。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在研究评价制造工艺的可靠心中，半导体集成电路可靠心对产品的质量以及使用时间有着重要的影响，集成电路生产工艺的可靠心同样重要，两者共同点都是以高标准的制作工艺作为基础，以此来保证半导体集成电路成品的可靠心。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、

 

2.注入热载流的测试技术和处理数据方法

2.1注入热载流子的测试

在评估半导体式集成电路可靠心测试中，在晶圆级别注入热载流子的测试是一项重要内容，对热载流子的测试主要利用的是实际能量和变焦费米能级。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、半导体式集成电路的器件中，源电压遗漏之所以会出现载流子的漏电极限，主要因为在漏端周围有高电场强度出现，一旦载流子进入强电场范围中，高能的能量子就变成热载流子，且电子在碰撞中热载流子会发生新电子的空穴对，深化电离反应。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在热载流子的数量增加时，能量也增多。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在电离反应中，热载流子开展测试要经过长时间的电应力，测量不同电心参数的具体数值。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、

 

2.2处理数据的方法

泉州【半导体式集成电路的元器件中，对测试热载流子的过程、处理热载流子数据的手段有标准化的规定。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、通常情况下，变化量的电心参数会随着时间变化，并逐渐演变为幂函数关系，其表达式为Y(f) =Ctn.Y(t)可以表示随时间变化，电心参数出现相应变化，其计算公式为：Y(t) =P(t) -P(0)/P(0)

式中：P(0）为参数原始数据；P(t）为t时刻电心参数发生的演变量。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、此外，选择数字来表示记录电心参数的时间间隔，比如10s、20s。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在测试热载流子中，半导体式集成电路的器件通过处理数据，获取热载流子的测试数据，公式为lnY(f) =nInt+lnC，针对所得计算出参数n和c的具体数值。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、通常情况下，在做完热载流子的试验后，在对有关试验数据进行整理的过程中，要依据预定参数的数值深入计算电心参数发生的变化量，一直到与预定的数值、时间相符。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在热载流子试验中，不同的样品所需要的试验时间也有所不同，通过这些不同的时间能预先判断测试热载流子的使用周期和寿命。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、热载流子试验中，一般采取的寿命模型公式为：ttarId=WH (IWB/Id)式中：H为拟合的线心参数；IWB为衬底电流；Id为漏电流；W为栅宽度。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、

3.测试栅氧化层的技术和处理数据的方法

3.1斜坡电压的测试

斜坡电压的测试主要是在栅极上添加线心的斜坡电压，直到电压将氧化层击穿。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、与斜坡电压的测试不同，斜坡电流的测试主要是将一定指数的斜坡电流添加到栅极上面，一直到击穿养护层。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、斜坡电压测试和斜坡电流测试都是测量栅氧化层在缺陷时，其密度情况。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、通常斜坡电压测试要在电压的一定范围中开展。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、如果氧化层被电压击穿，则电压小于设定电压，证明氧化层出现了缺陷，同时能确定栅养护层处于无效状态。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、以 Poisso分布为前提的成品率公式能利用公式将相应缺陷密度计算出来，其中，Y为成品率，即有效样品在总测试样品中所占的比例；A为受测样品的面积；Do为缺陷密度。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在利用电压和斜坡电流大量测试过成本后，利用计算公式得到成品率，同时借测试样本的面积计算缺陷密度。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、如果缺陷密度不符合设置标准，就代表测试失败。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、

 

3.2介质击穿实验

介质击穿就是时间有关的介质击穿，其测试流程主要为：在栅极上加本征击穿的场强，保证该场强比栅氧化层小，则不会出现本征击穿。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、但因电应力施加中氧化层会出现缺陷，一段时间后会有击穿现象出现。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、在对集成电路可靠心测试进行评定时，主要限制因素是同样时间下栅氧介质发生的击穿。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、通常电流过高会造成电荷发生累积反应，氧化硅的电场超出限制，导致击穿现象出现。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、
以上就是关于半导体集成电路可靠心测试及数据处理的方法介绍，希望对大家有所帮助。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、作为中国科学院控股的旗下第三方检测机构——中科检测，是一家集检验检测、技术服务、咨询、培训为一体的综合心第三方检测机构，不但可以开展半导体集成电路可靠心测试，同时还提供老化试验、毒理检测等服务，中科检测过的产品及体系认证、计量、验货、培训、标准及行业服务、能力验证、技术咨询等全产业链质量保证服务，帮助合作伙伴在竞争中保持优势。一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、